新型相变存储器获重大突破 产业链公司有望受益

　　据怀新资讯报道，近日，西安交通大学材料学院与中国科学院上海微系统所在新型相变存储材料方面取得重大突破。新式钪锑碲(SST)相变存储器的重大突破解决了写入速度瓶颈问题，在高密度、高速存储器上的应用验证对于我国突破国外技术壁垒、开发自主知识产权的存储器芯片具有重要价值。随着后续科研成果的陆续落地，我国相变存储器产业化应用或加速爆发，产业链相关企业有望受益。关注南大光电、纳思达。

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